Samsung, Yeni Nesil Telefonlar için 8 gigabit LPDDR5 RAM Yongası Piyasaya Sundu
Samsung, önceki nesil LPDDR4x RAM'lere göre yaklaşık 1.6 kat daha güçlü yeni nesil akıllı telefon RAM yongasını resmi olarak duyurdu.Samsung bu yılın başlarında, grafik kartlar için “10nm sınıfı” bir süreçte geliştirilen GDDR6 bellek yongaları üretmeye başladı ve şimdi Güney Koreli üretici, sektörün gelecek nesil telefonları için ilk 8 gigabit LPDDR5 yongası üzerinde çalışıyor.
Not: “10nm sınıfı”, “10nm ve 20nm arasında” anlamına gelir, bu yüzden gerçek bir 10nm düğüm değildir.
Samsung'un duyurusunu yaptığı yeni yongalar, mevcut LPDDR4x yongaların saniyede 4.266Mbps işleme hızı ile karşılaştırıldığında, saniyede 6.400Mbps ile yaklaşık %50 daha fazla performans sunuyor. Tabi bu hız, yongaları 1.1v enerji verildiğinde elde edilebiliyor. Enerji verimliliği için 1.05v ile 5.500Mbps hız da elde edilebiliyor.
Voltaj sabit değil ve çalışma hızına göre değişebiliyor. Derin uyku modu, LPDDR4X göre yaklaşık yarısı kadar güçlü olması bekleniyor, bu nedenle genel kullanımda % 30'luk bir güç tasarrufu bekleniyor.
Samsung, bu yongaların yüksek bant genişliğinin AI destekli uygulamalar ve 5G özellikli telefonlar için kullanılmasını bekliyor.
Güney Kore merkezli şirket Samsung ve lider çip satıcıları, sekiz adet LPDDR5 yongası ile 8GB RAM'i test ettiler. Samsung yeni RAM'i Güney Kore'deki Pyeongtaek tesisinde üretecek.
Yorumlar