Samsung'a FinFET Teknolojisi üzerinden bir patent ihlali iddiası geldi
Samsung'un yonga seti üretiminde kullandığı FinFET Teknolojisi, patent ihlali iddiası odağında kaldı.Akıllı telefon pazarında yer alan sayısız üretici sundukları cihazlarla mücadelelerini sürdürürken, ayrıca kullandıkları teknolojileri de patentler aracılığı ile garanti altına alıyorlar. Bir çok firma özellikle de Apple, Samsung gibi teknoloji devleri, başka firmalar tarafından sık sık patent ihlali suçlamaları ile karşı karşıya kalmaktalar.
Yeni bir patent ihlali davası da Samsung'a geldi. Firma bilindiği üzere donanım bileşenleri de geliştiriyor ve bunlar arasında da yonga setleri bulunuyor. Güney Kore kökenli firma son dönemde ise 10nm FinFET üretim teknolojisi ile dikkatleri üzerine çekmişti.
10nm FinFET üretim teknolojisi ile Samsung, ayrıca Qualcomm'un kısa bir süre önce duyurduğu yeni Snapdragon 835 yonga setini de üretecek.
Güney Kore medyası üzerinden gelen haberlere göre Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST), Samsung'a patent ihlali suçlaması ile dava açmaya hazırlanıyor. 10nm FinFET üretim teknolojisinin KAIST tarafından geliştirildiği ve Samsung'un ise bu teknolojiyi çaldığı iddia edilmekte.
Çalma olayına gelecek olursak eğer, Seul Ulusal Üniversitesi profesörlerinden olan Lee Jong-ho'nun Samsung tarafından davet edilmesi ve Samsung'un mühendislerine teknolojinin nasıl çalıştığı hakkında bilgi vermesi süreci ile başlıyor.
Intel, bu teknoloji için KAIST'i tanıyarak, lisans ile birlikte kullanmaya başlamıştı, ancak Samsung'un henüz bir girişimde bulunmadığı ifade ediliyor.
Bakalım Samsung ve KAIST arasındaki bu patent sorunu nasıl çözülecek. Ayrıca Qualcomm ve TSMC gibi firmalar da KAIST'in hedefinde.
Yorumlar